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FQPF9P25-T
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FQPF9P25-T
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FQPF9P25-T参数信息
| 参数 | 参数值 |
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包装
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散装
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系列
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QFET®
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零件状态
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停產
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FET 类型
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P 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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250V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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6A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
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620 毫欧 @ 3A，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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5V @ 250µA
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不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
|
38nC @ 10V
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Vgs（最大值）
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±30V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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1180pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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50W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-220F-3
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封装/外壳
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TO-220-3 整包
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