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FQPF10N60C_F105
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FQPF10N60C_F105
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FQPF10N60C_F105参数信息
| 参数 | 参数值 |
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包装
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管件
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系列
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QFET®
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零件状态
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停產
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss)
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600V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
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9.5A(Tc)
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
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10V
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不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
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730 毫欧 @ 4.75A,10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
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4V @ 250µA
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不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
|
57nC @ 10V
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Vgs(最大值)
|
±30V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
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2040pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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50W(Tc)
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工作温度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-220F
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封装/外壳
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TO-220-3 整包
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