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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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ZXTP19100CGTA
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ZXTP19100CGTA参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
Diodes Incorporated
|
|
产品种类
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
|
|
RoHS
|
是
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
SOT-223-4
|
|
晶体管极性
|
PNP
|
|
配置
|
Single
|
|
集电极—发射极最大电压 VCEO
|
- 100 V
|
|
集电极—基极电压 VCBO
|
- 110 V
|
|
发射极 - 基极电压 VEBO
|
- 7 V
|
|
集电极—射极饱和电压
|
- 130 mV
|
|
最大直流电集电极电流
|
- 2 A
|
|
增益带宽产品fT
|
142 MHz
|
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
系列
|
ZXTP191
|
|
直流电流增益 hFE 最大值
|
500 at - 100 mA, -2 V
|
|
高度
|
1.65 mm
|
|
长度
|
6.7 mm
|
|
封装
|
Cut Tape
|
|
封装
|
MouseReel
|
|
封装
|
Reel
|
|
宽度
|
3.7 mm
|
|
商标
|
Diodes Incorporated
|
|
集电极连续电流
|
- 2 A
|
|
直流集电极/Base Gain hfe Min
|
20 at - 2 A, - 2 V
|
|
Pd-功率耗散
|
5300 mW
|
|
产品类型
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
工厂包装数量
|
1000
|
|
子类别
|
Transistors
|
|
单位重量
|
112 mg
|
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