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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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ZXTN2010ZQTA
- 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
- Diodes Incorporated
- ZXTN2010ZQTA代理商/分销商
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ZXTN2010ZQTA参数信息
参数 | 参数值 |
制造商
|
Diodes Incorporated
|
产品种类
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
|
技术
|
Si
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
晶体管极性
|
NPN
|
配置
|
Single
|
集电极—发射极最大电压 VCEO
|
80 V
|
集电极—基极电压 VCBO
|
190 V
|
发射极 - 基极电压 VEBO
|
8.1 V
|
集电极—射极饱和电压
|
230 mV
|
最大直流电集电极电流
|
20 A
|
增益带宽产品fT
|
130 MHz
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
系列
|
ZXTN2010
|
直流电流增益 hFE 最大值
|
300
|
商标
|
Diodes Incorporated
|
集电极连续电流
|
5 A
|
Pd-功率耗散
|
1.5 W
|
产品类型
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
资格
|
AEC-Q101
|
工厂包装数量
|
1000
|
子类别
|
Transistors
|
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