| 参数 | 参数值 |
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Rohs：
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装：
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4,000
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晶体管类型：
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NPN
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- 集电极电流（Ic）（最大）：
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4.5A
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电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
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60V
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Vce饱和（最大）@ IB，IC：
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210mV @ 200mA, 5A
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电流 - 集电极截止（最大）：
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-
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直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：
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100 @ 2A, 1V
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功率 - 最大：
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1W
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频率转换：
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130MHz
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安装类型
：
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Through Hole
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包/盒
：
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TO-226-3, TO-92-3 Short Body Formed Leads
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供应商器件封装：
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TO-92-3
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包装材料
：
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Tape & Reel (TR)
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包装：
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3E-Line
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类型：
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NPN
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引脚数：
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3
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最大集电极发射极电压：
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60 V
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集电极最大直流电流：
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4.5 A
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最小直流电流增益：
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100@10mA@1V|100@2A@1V|55@5A@1V|20@10A@1V
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最大工作频率：
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130(Typ) MHz
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最大集电极发射极饱和电压：
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0.03@5mA@100mA|0.055@100mA@1A|0.065@50mA@1A|0.13@50mA@2A|0.21@200mA@5A V
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最大集电极基极电压：
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150 V
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工作温度：
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-55 to 150 °C
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最大功率耗散：
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710 mW
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安装：
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Through Hole
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标准包装：
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Bulk
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集电极最大直流电流：
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4.5
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最低工作温度：
|
-55
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Maximum Transition Frequency ：
|
130(Typ)
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包装宽度：
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2.41(Max)
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PCB：
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3
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最大功率耗散：
|
710
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欧盟RoHS指令：
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Compliant
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每个芯片的元件数：
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1
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最大集电极基极电压：
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150
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最大集电极发射极电压：
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60
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供应商封装形式：
|
E-Line
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标准包装名称：
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TO-92
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最高工作温度：
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150
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包装长度：
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4.77(Max)
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包装高度：
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4.01(Max)
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最大基地发射极电压：
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7
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铅形状：
|
Through Hole
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单位包：
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4000
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最小起订量：
|
4000
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电流 - 集电极（ Ic）（最大）：
|
4.5A
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晶体管类型：
|
NPN
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安装类型：
|
Through Hole
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频率 - 转换：
|
130MHz
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下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：
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210mV @ 200mA, 5A
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电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
|
60V
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供应商设备封装：
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TO-92-3
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封装：
|
Tape & Reel (TR)
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功率 - 最大：
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1W
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封装/外壳：
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TO-226-3, TO-92-3 Short Body Formed Leads
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直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：
|
100 @ 2A, 1V
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RoHS指令：
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Lead free / RoHS Compliant
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工厂包装数量：
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4000
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增益带宽产品fT：
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130 MHz
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产品种类：
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Transistors Bipolar - BJT
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晶体管极性：
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NPN
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发射极 - 基极电压VEBO：
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7 V
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直流集电极/增益hfe最小值：
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100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 55 at 5 A at 1 V, 20 at 10 A at 1 V
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直流电流增益hFE最大值：
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100 at 10 mA at 1 V
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集电极 - 发射极最大电压VCEO：
|
60 V
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安装风格：
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Through Hole
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集电极 - 基极电压VCBO：
|
150 V
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最低工作温度：
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- 55 C
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配置：
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Single
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最高工作温度：
|
+ 150 C
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