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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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ZXTN19100CZTA
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ZXTN19100CZTA参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
Diodes Incorporated
|
|
产品种类
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
|
|
RoHS
|
是
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
SOT-89-3
|
|
晶体管极性
|
NPN
|
|
配置
|
Single
|
|
集电极—发射极最大电压 VCEO
|
100 V
|
|
集电极—基极电压 VCBO
|
200 V
|
|
发射极 - 基极电压 VEBO
|
7 V
|
|
集电极—射极饱和电压
|
65 mV
|
|
最大直流电集电极电流
|
5.25 A
|
|
增益带宽产品fT
|
150 MHz
|
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
系列
|
ZXTN19100
|
|
直流电流增益 hFE 最大值
|
500 at 100 mA, 2 V
|
|
高度
|
1.6 mm
|
|
长度
|
4.6 mm
|
|
封装
|
Cut Tape
|
|
封装
|
MouseReel
|
|
封装
|
Reel
|
|
宽度
|
2.6 mm
|
|
商标
|
Diodes Incorporated
|
|
集电极连续电流
|
5.25 A
|
|
直流集电极/Base Gain hfe Min
|
30 at 5.25 A, 2 V
|
|
Pd-功率耗散
|
4460 mW
|
|
产品类型
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
工厂包装数量
|
1000
|
|
子类别
|
Transistors
|
|
单位重量
|
130.500 mg
|
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