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ZXMN10A08E6TC
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ZXMN10A08E6TC参数信息
参数 | 参数值 |
Rohs:
|
Lead free / RoHS Compliant
|
标准包装:
|
10,000
|
FET 型
:
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
FET特点:
|
Logic Level Gate
|
漏极至源极电压(VDSS):
|
100V
|
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
|
1.5A
|
Rds(最大)@ ID,VGS:
|
250 mOhm @ 3.2A, 10V
|
VGS(TH)(最大)@ Id:
|
4V @ 250µA
|
栅极电荷(Qg)@ VGS:
|
7.7nC @ 10V
|
输入电容(Ciss)@ Vds的:
|
405pF @ 50V
|
功率 - 最大:
|
1.1W
|
安装类型
:
|
Surface Mount
|
包/盒
:
|
SOT-23-6
|
供应商器件封装:
|
SOT-23-6
|
包装材料
:
|
Tape & Reel (TR)
|
包装:
|
6SOT-23
|
通道模式:
|
Enhancement
|
最大漏源电压:
|
100 V
|
最大连续漏极电流:
|
3.5 A
|
RDS -于:
|
250@10V mOhm
|
最大门源电压:
|
±20 V
|
典型导通延迟时间:
|
3.4 ns
|
典型上升时间:
|
2.2 ns
|
典型关闭延迟时间:
|
8 ns
|
典型下降时间:
|
3.2 ns
|
工作温度:
|
-55 to 150 °C
|
安装:
|
Surface Mount
|
标准包装:
|
Tape & Reel
|
最大门源电压:
|
±20
|
包装宽度:
|
1.8(Max)
|
PCB:
|
6
|
最大功率耗散:
|
1700
|
最大漏源电压:
|
100
|
欧盟RoHS指令:
|
Compliant
|
最大漏源电阻:
|
250@10V
|
每个芯片的元件数:
|
1
|
最低工作温度:
|
-55
|
供应商封装形式:
|
SOT-23
|
标准包装名称:
|
SOT-23
|
最高工作温度:
|
150
|
渠道类型:
|
N
|
包装长度:
|
3.1(Max)
|
引脚数:
|
6
|
包装高度:
|
1.3(Max)
|
最大连续漏极电流:
|
3.5
|
封装:
|
Tape and Reel
|
铅形状:
|
Gull-wing
|
单位包:
|
10000
|
最小起订量:
|
10000
|
FET特点:
|
Logic Level Gate
|
安装类型:
|
Surface Mount
|
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
|
1.5A (Ta)
|
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
|
4V @ 250µA
|
封装/外壳:
|
SOT-23-6
|
供应商设备封装:
|
SOT-23-6
|
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
|
250 mOhm @ 3.2A, 10V
|
FET型:
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
功率 - 最大:
|
1.1W
|
漏极至源极电压(Vdss):
|
100V
|
输入电容(Ciss ) @ VDS:
|
405pF @ 50V
|
闸电荷(Qg ) @ VGS:
|
7.7nC @ 10V
|
RoHS指令:
|
Lead free / RoHS Compliant
|
工厂包装数量:
|
10000
|
产品种类:
|
MOSFET
|
晶体管极性:
|
N-Channel
|
配置:
|
Single Quad Drain
|
源极击穿电压:
|
+/- 20 V
|
连续漏极电流:
|
1.9 A
|
安装风格:
|
SMD/SMT
|
RDS(ON):
|
250 mOhms
|
功率耗散:
|
1.1 W
|
最低工作温度:
|
- 55 C
|
上升时间:
|
2.2 ns
|
最高工作温度:
|
+ 150 C
|
漏源击穿电压:
|
100 V
|
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