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MOSFET
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ZXMN10A08E6TC

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ZXMN10A08E6TC数据手册
ZXMN10A08E6TC参数信息
参数参数值
Rohs:
Lead free / RoHS Compliant
标准包装:
10,000
FET 型 :
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点:
Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):
100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
1.5A
Rds(最大)@ ID,VGS:
250 mOhm @ 3.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id:
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS:
7.7nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的:
405pF @ 50V
功率 - 最大:
1.1W
安装类型 :
Surface Mount
包/盒 :
SOT-23-6
供应商器件封装:
SOT-23-6
包装材料 :
Tape & Reel (TR)
包装:
6SOT-23
通道模式:
Enhancement
最大漏源电压:
100 V
最大连续漏极电流:
3.5 A
RDS -于:
250@10V mOhm
最大门源电压:
±20 V
典型导通延迟时间:
3.4 ns
典型上升时间:
2.2 ns
典型关闭延迟时间:
8 ns
典型下降时间:
3.2 ns
工作温度:
-55 to 150 °C
安装:
Surface Mount
标准包装:
Tape & Reel
最大门源电压:
±20
包装宽度:
1.8(Max)
PCB:
6
最大功率耗散:
1700
最大漏源电压:
100
欧盟RoHS指令:
Compliant
最大漏源电阻:
250@10V
每个芯片的元件数:
1
最低工作温度:
-55
供应商封装形式:
SOT-23
标准包装名称:
SOT-23
最高工作温度:
150
渠道类型:
N
包装长度:
3.1(Max)
引脚数:
6
包装高度:
1.3(Max)
最大连续漏极电流:
3.5
封装:
Tape and Reel
铅形状:
Gull-wing
单位包:
10000
最小起订量:
10000
FET特点:
Logic Level Gate
安装类型:
Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
1.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
4V @ 250µA
封装/外壳:
SOT-23-6
供应商设备封装:
SOT-23-6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
250 mOhm @ 3.2A, 10V
FET型:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:
1.1W
漏极至源极电压(Vdss):
100V
输入电容(Ciss ) @ VDS:
405pF @ 50V
闸电荷(Qg ) @ VGS:
7.7nC @ 10V
RoHS指令:
Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量:
10000
产品种类:
MOSFET
晶体管极性:
N-Channel
配置:
Single Quad Drain
源极击穿电压:
+/- 20 V
连续漏极电流:
1.9 A
安装风格:
SMD/SMT
RDS(ON):
250 mOhms
功率耗散:
1.1 W
最低工作温度:
- 55 C
上升时间:
2.2 ns
最高工作温度:
+ 150 C
漏源击穿电压:
100 V
介绍图
ZXMN10A08E6TC代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市浩睿泽电子科技有限公司罗先生
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  • 电话:
深圳市辉华拓展电子有限公司蔡小姐
  • 手机:
  • 电话:
深圳市辉华拓展电子有限公司陈玲玲
  • 手机:
  • 电话:
深圳市毅创腾电子科技有限公司朱小姐
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  • 电话:
奋钧智能(深圳)科技有限公司王小姐
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  • 电话:
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