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ZXMN10A08DN8TC
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ZXMN10A08DN8TC
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ZXMN10A08DN8TC参数信息
| 参数 | 参数值 |
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Rohs：
|
Lead free / RoHS Compliant
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|
标准包装：
|
2,500
|
|
FET 型
：
|
2 N-Channel (Dual)
|
|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
漏极至源极电压（VDSS）：
|
100V
|
|
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：
|
1.6A
|
|
Rds（最大）@ ID，VGS：
|
250 mOhm @ 3.2A, 10V
|
|
VGS（TH）（最大）@ Id：
|
2V @ 250µA
|
|
栅极电荷（Qg）@ VGS：
|
7.7nC @ 10V
|
|
输入电容（Ciss）@ Vds的：
|
405pF @ 50V
|
|
功率 - 最大：
|
1.25W
|
|
安装类型
：
|
Surface Mount
|
|
包/盒
：
|
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
|
|
供应商器件封装：
|
8-SOP
|
|
包装材料
：
|
Tape & Reel (TR)
|
|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
封装：
|
Tape & Reel (TR)
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|
安装类型：
|
Surface Mount
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电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：
|
1.6A
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的Vgs（th ） （最大）@ Id：
|
2V @ 250µA
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供应商设备封装：
|
8-SOP
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|
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：
|
250 mOhm @ 3.2A, 10V
|
|
FET型：
|
2 N-Channel (Dual)
|
|
功率 - 最大：
|
1.25W
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|
标准包装：
|
2,500
|
|
漏极至源极电压（Vdss）：
|
100V
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输入电容（Ciss ） @ VDS：
|
405pF @ 50V
|
|
闸电荷（Qg ） @ VGS：
|
7.7nC @ 10V
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封装/外壳：
|
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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