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MOSFET
ZXMN10A07ZTA参考图

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ZXMN10A07ZTA

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ZXMN10A07ZTA数据手册
ZXMN10A07ZTA参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
系列
ZXMN10A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.6 S
下降时间
2.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns
单位重量
130.500 mg
介绍图
ZXMN10A07ZTA代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳辰亿电子有限公司
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司销售总监王小姐
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  • 电话:
深圳市科思奇电子科技有限公司张小姐
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  • 电话:
深圳市浩睿泽电子科技有限公司罗先生
  • 手机:
  • 电话:
深圳市芯奕科技有限公司王志
  • 手机:
  • 电话:
天天IC网为您提供了由Diodes Incorporated生产的ZXMN10A07ZTA的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXMN10A07ZTA参数信息、推荐的产品和ZXMN10A07ZTA数据手册可供查阅。ZXMN10A07ZTA功能描述为:MOSFET 100V N-Chnl UMOS,你可以查阅ZXMN10A07ZTA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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