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MOSFET
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ZXMN0545G4TA

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ZXMN0545G4TA数据手册
ZXMN0545G4TA参数信息
参数参数值
Rohs:
Lead free / RoHS Compliant
标准包装:
1,000
FET 型 :
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点:
Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):
450V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
140mA
Rds(最大)@ ID,VGS:
50 Ohm @ 100mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id:
3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS:
-
输入电容(Ciss)@ Vds的:
70pF @ 25V
功率 - 最大:
2W
安装类型 :
Surface Mount
包/盒 :
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装:
SOT-223
包装材料 :
Tape & Reel (TR)
包装:
4SOT-223
通道模式:
Enhancement
最大漏源电压:
450 V
最大连续漏极电流:
0.14 A
RDS -于:
50000@10V mOhm
最大门源电压:
±20 V
典型导通延迟时间:
7(Max) ns
典型关闭延迟时间:
16(Max) ns
典型下降时间:
10(Max) ns
安装:
Surface Mount
标准包装:
Tape & Reel
最大门源电压:
±20
引脚数:
4
欧盟RoHS指令:
Compliant
包装宽度:
3.7(Max)
标准包装名称:
SOT-223
包装高度:
1.65(Max)
渠道类型:
N
封装:
Tape and Reel
最大漏源电阻:
50000@10V
最大漏源电压:
450
每个芯片的元件数:
1
标签:
Tab
供应商封装形式:
SOT-223
包装长度:
6.7(Max)
PCB:
3
最大连续漏极电流:
0.14
最大功率耗散:
2000
铅形状:
Gull-wing
单位包:
1000
最小起订量:
1000
FET特点:
Logic Level Gate
安装类型:
Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
140mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
3V @ 1mA
供应商设备封装:
SOT-223
其他名称:
ZXMN0545G4TR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
50 Ohm @ 100mA, 10V
FET型:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:
2W
漏极至源极电压(Vdss):
450V
输入电容(Ciss ) @ VDS:
70pF @ 25V
封装/外壳:
TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令:
Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量:
1000
产品种类:
MOSFET
晶体管极性:
N-Channel
配置:
Single
源极击穿电压:
+/- 20 V
连续漏极电流:
0.14 A
安装风格:
SMD/SMT
RDS(ON):
50 Ohms
功率耗散:
2 W
封装/外壳:
SOT-223
上升时间:
7 ns
漏源击穿电压:
450 V
RoHS:
RoHS Compliant
下降时间:
10 ns
栅源电压(最大值):
�20 V
漏源导通电阻:
50 ohm
包装类型:
SOT-223
极性:
N
类型:
Power MOSFET
元件数:
1
介绍图
ZXMN0545G4TA代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市成源运利电子科技有限公司林先生
  • 手机:
  • 电话:
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
  • 手机:
  • 电话:
深圳市博浩通科技有限公司朱丽娜
  • 手机:
  • 电话:
深圳市坤融电子有限公司肖瑶,树平
  • 手机:
  • 电话:
深圳市壹芯创科技有限公司朱先生,杨小姐
  • 手机:
  • 电话:
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