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MOSFET
ZXMHC6A07N8TC参考图

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ZXMHC6A07N8TC

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ZXMHC6A07N8TC数据手册
ZXMHC6A07N8TC参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.8 A, 1.42 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms, 400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC, 5.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.87 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMHC6
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
2.3 S, 1.8 S
下降时间
2 ns, 5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns, 2.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns, 13 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 1.6 ns
单位重量
74 mg
介绍图
ZXMHC6A07N8TC代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
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  • 电话:
国丰临科技(深圳)有限公司
  • 手机:
  • 电话:
深圳市星宇佳科技有限公司小柯
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  • 电话:
深圳市拓亿芯电子有限公司刘先生,李小姐
  • 手机:
  • 电话:
深圳市欧瑞芯电子有限公司张先生,唐先生,张小姐
  • 手机:
  • 电话:
天天IC网为您提供了由Diodes Incorporated生产的ZXMHC6A07N8TC的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXMHC6A07N8TC参数信息、推荐的产品和ZXMHC6A07N8TC数据手册可供查阅。ZXMHC6A07N8TC功能描述为:MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A,你可以查阅ZXMHC6A07N8TC中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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