| 参数 | 参数值 |
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Rohs：
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装：
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1,000
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FET 型
：
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2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
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FET特点：
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Logic Level Gate
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漏极至源极电压（VDSS）：
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30V
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电流-连续漏极（编号）@ 25°C：
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2.7A, 2A
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Rds（最大）@ ID，VGS：
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120 mOhm @ 2.5A, 10V
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VGS（TH）（最大）@ Id：
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3V @ 250µA
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栅极电荷（Qg）@ VGS：
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3.9nC @ 15V
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输入电容（Ciss）@ Vds的：
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190pF @ 25V
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功率 - 最大：
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1.3W
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安装类型
：
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Surface Mount
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包/盒
：
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SOT-223-8
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供应商器件封装：
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SM8
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包装材料
：
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Tape & Reel (TR)
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包装：
|
8SM8
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渠道类型：
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N|P
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通道模式：
|
Enhancement
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最大漏源电压：
|
30 V
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最大连续漏极电流：
|
3.1@N Channel|2.3@P Channel A
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RDS -于：
|
120@10V@N Channel|210@10V@P Channel mOhm
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最大门源电压：
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±20 V
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典型导通延迟时间：
|
1.7@N Channel|1.2@P Channel ns
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典型上升时间：
|
2.3 ns
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典型关闭延迟时间：
|
6.6@N Channel|12.1@P Channel ns
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典型下降时间：
|
2.9@N Channel|7.5@P Channel ns
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工作温度：
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-55 to 150 °C
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安装：
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Surface Mount
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标准包装：
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Tape & Reel
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最大门源电压：
|
±20
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欧盟RoHS指令：
|
Compliant
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最高工作温度：
|
150
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最低工作温度：
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-55
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包装高度：
|
1.6(Max)
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最大功率耗散：
|
1700
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封装：
|
Tape and Reel
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最大漏源电阻：
|
120@10V@N Channel|210@10V@P Channel
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最大漏源电压：
|
30
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每个芯片的元件数：
|
4
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包装宽度：
|
3.7(Max)
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供应商封装形式：
|
SM8
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包装长度：
|
6.7(Max)
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|
PCB：
|
8
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最大连续漏极电流：
|
3.1@N Channel|2.3@P Channel
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|
引脚数：
|
8
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P（ TOT ）：
|
1.7W
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匹配代码：
|
ZXMHC3A01T8TA
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LogicLevel：
|
NO
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单位包：
|
1000
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标准的提前期：
|
12 weeks
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最小起订量：
|
1000
|
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无铅Defin：
|
RoHS-conform
|
|
汽车：
|
NO
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我（D ）：
|
2.3A
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V（ DS ）：
|
30V
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技术：
|
H-Bridge
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的RDS（on ） at10V：
|
0.335Ohm
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|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
安装类型：
|
Surface Mount
|
|
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：
|
2.7A, 2A
|
|
的Vgs（th ） （最大）@ Id：
|
3V @ 250µA
|
|
供应商设备封装：
|
SM8
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|
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：
|
120 mOhm @ 2.5A, 10V
|
|
FET型：
|
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
|
|
功率 - 最大：
|
1.3W
|
|
漏极至源极电压（Vdss）：
|
30V
|
|
输入电容（Ciss ） @ VDS：
|
190pF @ 25V
|
|
闸电荷（Qg ） @ VGS：
|
3.9nC @ 15V
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封装/外壳：
|
SOT-223-8
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RoHS指令：
|
Lead free / RoHS Compliant
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其他名称：
|
ZXMHC3A01T8CT
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工厂包装数量：
|
1000
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产品种类：
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MOSFET
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晶体管极性：
|
N and P-Channel
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配置：
|
Quad
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连续漏极电流：
|
3.1 A, - 2.3 A
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安装风格：
|
SMD/SMT
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功率耗散：
|
1.3 W
|
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最低工作温度：
|
- 55 C
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封装/外壳：
|
SM-8
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|
上升时间：
|
2.3 ns
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最高工作温度：
|
+ 150 C
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漏源击穿电压：
|
30 V, - 30 V
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RoHS：
|
RoHS Compliant
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下降时间：
|
2.3 ns
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栅源电压（最大值）：
|
�20 V
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