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ZXMHC10A07N8TC
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ZXMHC10A07N8TC参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
Diodes Incorporated
|
|
产品种类
|
MOSFET
|
|
RoHS
|
是
|
|
技术
|
Si
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
SO-8
|
|
通道数量
|
4 Channel
|
|
晶体管极性
|
N-Channel, P-Channel
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
100 V
|
|
Id-连续漏极电流
|
1 A, 850 mA
|
|
Rds On-漏源导通电阻
|
700 mOhms, 1.45 Ohms
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
2 V
|
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
20 V
|
|
Qg-栅极电荷
|
2.9 nC, 3.5 nC
|
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
Pd-功率耗散
|
870 mW
|
|
配置
|
Quad
|
|
通道模式
|
Enhancement
|
|
封装
|
Cut Tape
|
|
封装
|
MouseReel
|
|
封装
|
Reel
|
|
系列
|
ZXMHC10
|
|
晶体管类型
|
2 N-Channel, 2 P-Channel
|
|
商标
|
Diodes Incorporated
|
|
正向跨导 - 最小值
|
1.6 S, 1.2 S
|
|
下降时间
|
2.1 ns, 3.3 ns
|
|
产品类型
|
MOSFET
|
|
上升时间
|
1.5 ns, 2.1 ns
|
|
工厂包装数量
|
2500
|
|
子类别
|
MOSFETs
|
|
典型关闭延迟时间
|
4.1 ns, 5.9 ns
|
|
典型接通延迟时间
|
1.8 ns, 1.6 ns
|
|
单位重量
|
74 mg
|
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