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ZXMD65P03N8TC
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ZXMD65P03N8TC
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ZXMD65P03N8TC参数信息
参数 | 参数值 |
晶体管极性
|
P-Channel
|
汲极/源极击穿电压
|
30 V
|
闸/源击穿电压
|
20 V
|
漏极连续电流
|
4.8 A
|
配置
|
Dual Dual Drain
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
封装 / 箱体
|
SOIC-8
|
封装
|
Reel
|
下降时间
|
6.4 ns
|
功率耗散
|
2000 mW
|
上升时间
|
6.4 ns
|
典型关闭延迟时间
|
49.5 ns
|
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