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ZXM63N02E6TA
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ZXM63N02E6TA

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ZXM63N02E6TA参数信息
参数参数值
Rohs:
Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装:
3,000
FET 型 :
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点:
Standard
漏极至源极电压(VDSS):
20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
3.2A
Rds(最大)@ ID,VGS:
-
VGS(TH)(最大)@ Id:
-
栅极电荷(Qg)@ VGS:
-
输入电容(Ciss)@ Vds的:
-
功率 - 最大:
2W
安装类型 :
Surface Mount
包/盒 :
SOT-23-6
供应商器件封装:
SOT-23-6
包装材料 :
Tape & Reel (TR)
FET特点:
Standard
安装类型:
Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
3.2A
封装/外壳:
SOT-23-6
供应商设备封装:
SOT-23-6
其他名称:
ZXM63N02E6DKR
FET型:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:
2W
标准包装:
1
漏极至源极电压(Vdss):
20V
介绍图
ZXM63N02E6TA代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
  • 手机:
  • 电话:
深圳市拓亿芯电子有限公司刘先生,李小姐
  • 手机:
  • 电话:
深圳市永拓丰科技有限公司黄女士
  • 手机:
  • 电话:
深圳市浩睿泽电子科技有限公司罗先生
  • 手机:
  • 电话:
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司销售总监王小姐
  • 手机:
  • 电话:
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