- 当前位置:
- 首页
- >
- 元器件详细参数
- >
- ZXM62P03GTA代理商/详细参数
ZXM62P03GTA
购买、咨询产品请提交询价信息
推荐的产品
- ZXM62P03E6TC
- 品牌:diodes, inc
- 描述: Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
- ZXM61N02FTC
- 品牌:diodes, inc
- 描述: Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
- ZXM61N02FTA/BKN
- 品牌:diodes, inc
- 描述: Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
ZXM62P03GTA参数信息
参数 | 参数值 |
Rohs:
|
Lead free / RoHS Compliant
|
标准包装:
|
1,000
|
FET 型
:
|
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
|
FET特点:
|
Logic Level Gate
|
漏极至源极电压(VDSS):
|
30V
|
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
|
2.9A
|
Rds(最大)@ ID,VGS:
|
150 mOhm @ 1.6A, 10V
|
VGS(TH)(最大)@ Id:
|
1V @ 250µA
|
栅极电荷(Qg)@ VGS:
|
10.2nC @ 10V
|
输入电容(Ciss)@ Vds的:
|
330pF @ 25V
|
功率 - 最大:
|
2W
|
安装类型
:
|
Surface Mount
|
包/盒
:
|
TO-261-4, TO-261AA
|
供应商器件封装:
|
SOT-223
|
包装材料
:
|
Tape & Reel (TR)
|
FET特点:
|
Logic Level Gate
|
封装:
|
Tape & Reel (TR)
|
安装类型:
|
Surface Mount
|
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
|
2.9A (Ta), 4A (Tc)
|
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
|
1V @ 250µA
|
封装/外壳:
|
TO-261-4, TO-261AA
|
供应商设备封装:
|
SOT-223
|
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
|
150 mOhm @ 1.6A, 10V
|
FET型:
|
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
|
功率 - 最大:
|
2W
|
标准包装:
|
1,000
|
漏极至源极电压(Vdss):
|
30V
|
输入电容(Ciss ) @ VDS:
|
330pF @ 25V
|
闸电荷(Qg ) @ VGS:
|
10.2nC @ 10V
|
工厂包装数量:
|
1000
|
产品种类:
|
MOSFET
|
晶体管极性:
|
P-Channel
|
配置:
|
Single Dual Drain
|
源极击穿电压:
|
+/- 20 V
|
连续漏极电流:
|
- 4 A
|
安装风格:
|
SMD/SMT
|
RDS(ON):
|
230 mOhms
|
功率耗散:
|
3.9 W
|
最低工作温度:
|
- 55 C
|
典型关闭延迟时间:
|
13.9 ns
|
上升时间:
|
6.4 ns
|
最高工作温度:
|
+ 150 C
|
漏源击穿电压:
|
- 30 V
|
RoHS:
|
In Transition
|
下降时间:
|
10.3 ns
|
天天IC网为您提供了由Diodes Inc.生产的ZXM62P03GTA的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXM62P03GTA参数信息、推荐的产品和ZXM62P03GTA数据手册可供查阅。ZXM62P03GTA功能描述为: MOSFET 30V P-Chnl HDMOS,你可以查阅ZXM62P03GTA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。