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MOSFET
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ZXM62P03GTA

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ZXM62P03GTA数据手册
ZXM62P03GTA参数信息
参数参数值
Rohs:
Lead free / RoHS Compliant
标准包装:
1,000
FET 型 :
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点:
Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):
30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
2.9A
Rds(最大)@ ID,VGS:
150 mOhm @ 1.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id:
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS:
10.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的:
330pF @ 25V
功率 - 最大:
2W
安装类型 :
Surface Mount
包/盒 :
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装:
SOT-223
包装材料 :
Tape & Reel (TR)
FET特点:
Logic Level Gate
封装:
Tape & Reel (TR)
安装类型:
Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
2.9A (Ta), 4A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
1V @ 250µA
封装/外壳:
TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装:
SOT-223
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
150 mOhm @ 1.6A, 10V
FET型:
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:
2W
标准包装:
1,000
漏极至源极电压(Vdss):
30V
输入电容(Ciss ) @ VDS:
330pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS:
10.2nC @ 10V
工厂包装数量:
1000
产品种类:
MOSFET
晶体管极性:
P-Channel
配置:
Single Dual Drain
源极击穿电压:
+/- 20 V
连续漏极电流:
- 4 A
安装风格:
SMD/SMT
RDS(ON):
230 mOhms
功率耗散:
3.9 W
最低工作温度:
- 55 C
典型关闭延迟时间:
13.9 ns
上升时间:
6.4 ns
最高工作温度:
+ 150 C
漏源击穿电压:
- 30 V
RoHS:
In Transition
下降时间:
10.3 ns
介绍图
ZXM62P03GTA代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市成源运利电子科技有限公司林先生
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  • 电话:
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
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  • 电话:
深圳市拓亿芯电子有限公司刘先生,李小姐
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  • 电话:
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理,张小姐
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深圳市百视威讯电子科技有限公司董先生
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天天IC网为您提供了由Diodes Inc.生产的ZXM62P03GTA的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXM62P03GTA参数信息、推荐的产品和ZXM62P03GTA数据手册可供查阅。ZXM62P03GTA功能描述为: MOSFET 30V P-Chnl HDMOS,你可以查阅ZXM62P03GTA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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