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ZXM62P02E6TC
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ZXM62P02E6TC参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
Diodes Incorporated
|
|
产品种类
|
MOSFET
|
|
RoHS
|
是
|
|
商标
|
Diodes Incorporated
|
|
Id-连续漏极电流
|
- 2.3 A
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
- 20 V
|
|
Rds On-漏源导通电阻
|
375 mOhms
|
|
晶体管极性
|
P-Channel
|
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
12 V
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
Pd-功率耗散
|
1.1 W
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
SOT-23-6
|
|
封装
|
Reel
|
|
通道模式
|
Enhancement
|
|
配置
|
Single Quad Drain
|
|
下降时间
|
15.4 ns
|
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
|
上升时间
|
15.4 ns
|
|
工厂包装数量
|
10000
|
|
典型关闭延迟时间
|
12 ns
|
|
典型接通延迟时间
|
4.1 ns
|
天天IC网为您提供了由Diodes Incorporated生产的ZXM62P02E6TC的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXM62P02E6TC参数信息、推荐的产品和ZXM62P02E6TC数据手册可供查阅。ZXM62P02E6TC功能描述为：
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
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