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ZXM62N03E6TA
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ZXM62N03E6TA
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ZXM62N03E6TA参数信息
参数 | 参数值 |
Rohs:
|
Contains lead / RoHS non-compliant
|
标准包装:
|
3,000
|
FET 型
:
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
FET特点:
|
Logic Level Gate
|
漏极至源极电压(VDSS):
|
30V
|
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
|
3.2A
|
Rds(最大)@ ID,VGS:
|
110 mOhm @ 2.2A, 10V
|
VGS(TH)(最大)@ Id:
|
1V @ 250µA
|
栅极电荷(Qg)@ VGS:
|
9.6nC @ 10V
|
输入电容(Ciss)@ Vds的:
|
380pF @ 25V
|
功率 - 最大:
|
1.1W
|
安装类型
:
|
Surface Mount
|
包/盒
:
|
SOT-23-6
|
供应商器件封装:
|
SOT-23-6
|
包装材料
:
|
Tape & Reel (TR)
|
FET特点:
|
Logic Level Gate
|
安装类型:
|
Surface Mount
|
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
|
3.2A (Ta)
|
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
|
1V @ 250µA
|
封装/外壳:
|
SOT-23-6
|
供应商设备封装:
|
SOT-23-6
|
其他名称:
|
ZXM62N03E6DKR
|
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
|
110 mOhm @ 2.2A, 10V
|
FET型:
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
功率 - 最大:
|
1.1W
|
标准包装:
|
1
|
漏极至源极电压(Vdss):
|
30V
|
输入电容(Ciss ) @ VDS:
|
380pF @ 25V
|
闸电荷(Qg ) @ VGS:
|
9.6nC @ 10V
|
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