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MOSFET
ZXM62N02E6TC参考图

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ZXM62N02E6TC

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ZXM62N02E6TC数据手册
ZXM62N02E6TC参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
12 V
Pd-功率耗散
1.7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
10.4 ns
上升时间
10.4 ns
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
4 ns
介绍图
ZXM62N02E6TC代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
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深圳诚思涵科技有限公司曾小姐
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深圳市惊羽科技有限公司彭小姐
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深圳市威雅利发展有限公司韩雪
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深圳市骏凯诚科技有限公司朱小姐
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天天IC网为您提供了由Diodes Incorporated生产的ZXM62N02E6TC的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXM62N02E6TC参数信息、推荐的产品和ZXM62N02E6TC数据手册可供查阅。ZXM62N02E6TC功能描述为: MOSFET 20V N Chnl HDMOS ,你可以查阅ZXM62N02E6TC中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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