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ZXM62N02E6TA
图片仅供参考, 请参阅产品规格
ZXM62N02E6TA
- N-Channel 20 V 0.1 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23-6
- Diodes Incorporated
- ZXM62N02E6TA代理商/分销商
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ZXM62N02E6TA参数信息
参数 | 参数值 |
封装形式Package
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SOT-23
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极性Polarity
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N-CH
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漏源极击穿电压VDSS
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20V
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连续漏极电流ID
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3.2A
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无铅情况/RoHs
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无铅/符合RoHs
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天天IC网为您提供了由Diodes Incorporated生产的ZXM62N02E6TA的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZXM62N02E6TA参数信息、推荐的产品和ZXM62N02E6TA数据手册可供查阅。ZXM62N02E6TA功能描述为:N-Channel 20 V 0.1 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23-6,你可以查阅ZXM62N02E6TA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。