| 参数 | 参数值 |
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Rohs：
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装：
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10,000
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FET 型
：
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MOSFET P-Channel, Metal Oxide
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FET特点：
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Logic Level Gate
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漏极至源极电压（VDSS）：
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30V
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电流-连续漏极（编号）@ 25°C：
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1.1A
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Rds（最大）@ ID，VGS：
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350 mOhm @ 600mA, 10V
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VGS（TH）（最大）@ Id：
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1V @ 250µA
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栅极电荷（Qg）@ VGS：
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4.8nC @ 10V
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输入电容（Ciss）@ Vds的：
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140pF @ 25V
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功率 - 最大：
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625mW
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安装类型
：
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Surface Mount
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包/盒
：
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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供应商器件封装：
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SOT-23-3
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包装材料
：
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Tape & Reel (TR)
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FET特点：
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Logic Level Gate
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封装：
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Tape & Reel (TR)
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安装类型：
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Surface Mount
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电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：
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1.1A (Ta)
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的Vgs（th ） （最大）@ Id：
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1V @ 250µA
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封装/外壳：
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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供应商设备封装：
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SOT-23-3
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开态Rds（最大）@ Id ，V GS：
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350 mOhm @ 600mA, 10V
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FET型：
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MOSFET P-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大：
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625mW
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标准包装：
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10,000
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漏极至源极电压（Vdss）：
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30V
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输入电容（Ciss ） @ VDS：
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140pF @ 25V
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闸电荷（Qg ） @ VGS：
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4.8nC @ 10V
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