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ZVN4525ZTA
- Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
- diodes, inc
- ZVN4525ZTA代理商/分销商
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ZVN4525ZTA参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
Rohs：
|
Lead free / RoHS Compliant
|
|
标准包装：
|
1,000
|
|
FET 型
：
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
漏极至源极电压（VDSS）：
|
250V
|
|
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：
|
240mA
|
|
Rds（最大）@ ID，VGS：
|
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
|
|
VGS（TH）（最大）@ Id：
|
1.8V @ 1mA
|
|
栅极电荷（Qg）@ VGS：
|
3.65nC @ 10V
|
|
输入电容（Ciss）@ Vds的：
|
72pF @ 25V
|
|
功率 - 最大：
|
1.2W
|
|
安装类型
：
|
Surface Mount
|
|
包/盒
：
|
TO-243AA
|
|
供应商器件封装：
|
SOT-89-3
|
|
包装材料
：
|
Tape & Reel (TR)
|
|
包装：
|
4SOT-89
|
|
通道模式：
|
Enhancement
|
|
最大漏源电压：
|
250 V
|
|
最大连续漏极电流：
|
0.24 A
|
|
RDS -于：
|
8500@10V mOhm
|
|
最大门源电压：
|
±40 V
|
|
典型导通延迟时间：
|
1.25 ns
|
|
典型上升时间：
|
1.7 ns
|
|
典型关闭延迟时间：
|
11.4 ns
|
|
典型下降时间：
|
3.5 ns
|
|
工作温度：
|
-55 to 150 °C
|
|
安装：
|
Surface Mount
|
|
标准包装：
|
Tape & Reel
|
|
最大门源电压：
|
±40
|
|
包装宽度：
|
2.6(Max)
|
|
PCB：
|
3
|
|
最大功率耗散：
|
1200
|
|
最大漏源电压：
|
250
|
|
欧盟RoHS指令：
|
Compliant
|
|
最大漏源电阻：
|
8500@10V
|
|
每个芯片的元件数：
|
1
|
|
最低工作温度：
|
-55
|
|
供应商封装形式：
|
SOT-89
|
|
标准包装名称：
|
SOT-89
|
|
最高工作温度：
|
150
|
|
渠道类型：
|
N
|
|
包装长度：
|
4.6(Max)
|
|
引脚数：
|
4
|
|
包装高度：
|
1.6(Max)
|
|
最大连续漏极电流：
|
0.24
|
|
封装：
|
Tape and Reel
|
|
标签：
|
Tab
|
|
铅形状：
|
Flat
|
|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
安装类型：
|
Surface Mount
|
|
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：
|
240mA (Ta)
|
|
的Vgs（th ） （最大）@ Id：
|
1.8V @ 1mA
|
|
供应商设备封装：
|
SOT-89-3
|
|
其他名称：
|
ZVN4525ZTR
|
|
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：
|
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
|
|
FET型：
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
|
功率 - 最大：
|
1.2W
|
|
漏极至源极电压（Vdss）：
|
250V
|
|
输入电容（Ciss ） @ VDS：
|
72pF @ 25V
|
|
闸电荷（Qg ） @ VGS：
|
3.65nC @ 10V
|
|
封装/外壳：
|
TO-243AA
|
|
RoHS指令：
|
Lead free / RoHS Compliant
|
|
工厂包装数量：
|
1000
|
|
产品种类：
|
MOSFET
|
|
晶体管极性：
|
N-Channel
|
|
配置：
|
Single Dual Drain
|
|
源极击穿电压：
|
+/- 40 V
|
|
连续漏极电流：
|
240 mA
|
|
安装风格：
|
SMD/SMT
|
|
RDS（ON）：
|
9.5 Ohms
|
|
功率耗散：
|
1.2 W
|
|
最低工作温度：
|
- 55 C
|
|
封装/外壳：
|
SOT-89
|
|
上升时间：
|
1.7 ns
|
|
最高工作温度：
|
+ 150 C
|
|
漏源击穿电压：
|
250 V
|
|
RoHS：
|
RoHS Compliant
|
|
下降时间：
|
1.7 ns
|
|
栅源电压（最大值）：
|
�40 V
|
|
漏源导通电阻：
|
8.5 ohm
|
|
工作温度范围：
|
-55C to 150C
|
|
包装类型：
|
SOT-89
|
|
极性：
|
N
|
|
类型：
|
Power MOSFET
|
|
元件数：
|
1
|
|
工作温度分类：
|
Military
|
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