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MOSFET
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ZVN4525E6TC

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ZVN4525E6TC数据手册
ZVN4525E6TC参数信息
参数参数值
Rohs:
Lead free / RoHS Compliant
标准包装:
10,000
FET 型 :
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点:
Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):
250V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
230mA
Rds(最大)@ ID,VGS:
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id:
1.8V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS:
3.65nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的:
72pF @ 25V
功率 - 最大:
1.1W
安装类型 :
Surface Mount
包/盒 :
SOT-23-6
供应商器件封装:
SOT-23-6
包装材料 :
Tape & Reel (TR)
产品种类:
MOSFET
RoHS:
RoHS Compliant
晶体管极性:
N-Channel
漏源击穿电压:
250 V
源极击穿电压:
+/- 40 V
连续漏极电流:
230 mA
抗漏源极RDS ( ON):
9.5 Ohms
配置:
Single Quad Drain
最高工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装/外壳:
SOT-23-6
封装:
Reel
下降时间:
1.7 ns
最低工作温度:
- 55 C
功率耗散:
1.1 W
上升时间:
1.7 ns
工厂包装数量:
10000
典型关闭延迟时间:
11.4 ns
FET特点:
Logic Level Gate
安装类型:
Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
230mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:
1.8V @ 1mA
供应商设备封装:
SOT-23-6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
FET型:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:
1.1W
标准包装:
10,000
漏极至源极电压(Vdss):
250V
输入电容(Ciss ) @ VDS:
72pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS:
3.65nC @ 10V
RoHS指令:
Lead free / RoHS Compliant
介绍图
ZVN4525E6TC代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
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深圳市拓亿芯电子有限公司刘先生,李小姐
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深圳市永拓丰科技有限公司黄女士
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  • 电话:
深圳市浩睿泽电子科技有限公司罗先生
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  • 电话:
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司销售总监王小姐
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