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ZVN4310GTC
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ZVN4310GTC参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
Rohs：
|
Lead free / RoHS Compliant
|
|
标准包装：
|
4,000
|
|
FET 型
：
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
|
FET特点：
|
Standard
|
|
漏极至源极电压（VDSS）：
|
100V
|
|
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：
|
1.67A
|
|
Rds（最大）@ ID，VGS：
|
540 mOhm @ 3.3A, 10V
|
|
VGS（TH）（最大）@ Id：
|
3V @ 1mA
|
|
栅极电荷（Qg）@ VGS：
|
-
|
|
输入电容（Ciss）@ Vds的：
|
350pF @ 25V
|
|
功率 - 最大：
|
3W
|
|
安装类型
：
|
Surface Mount
|
|
包/盒
：
|
TO-261-4, TO-261AA
|
|
供应商器件封装：
|
SOT-223
|
|
包装材料
：
|
Tape & Reel (TR)
|
|
产品种类：
|
MOSFET
|
|
RoHS：
|
RoHS Compliant
|
|
晶体管极性：
|
N-Channel
|
|
漏源击穿电压：
|
100 V
|
|
源极击穿电压：
|
+/- 20 V
|
|
连续漏极电流：
|
1.67 A
|
|
抗漏源极RDS （ ON）：
|
0.75 Ohms
|
|
配置：
|
Single Dual Drain
|
|
最高工作温度：
|
+ 150 C
|
|
安装风格：
|
SMD/SMT
|
|
封装/外壳：
|
SOT-223
|
|
封装：
|
Reel
|
|
下降时间：
|
16 ns
|
|
最低工作温度：
|
- 55 C
|
|
功率耗散：
|
3 W
|
|
上升时间：
|
25 ns
|
|
工厂包装数量：
|
4000
|
|
典型关闭延迟时间：
|
30 ns
|
|
FET特点：
|
Standard
|
|
安装类型：
|
Surface Mount
|
|
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：
|
1.67A (Ta)
|
|
的Vgs（th ） （最大）@ Id：
|
3V @ 1mA
|
|
供应商设备封装：
|
SOT-223
|
|
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：
|
540 mOhm @ 3.3A, 10V
|
|
FET型：
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
|
功率 - 最大：
|
3W
|
|
标准包装：
|
4,000
|
|
漏极至源极电压（Vdss）：
|
100V
|
|
输入电容（Ciss ） @ VDS：
|
350pF @ 25V
|
|
RoHS指令：
|
Lead free / RoHS Compliant
|
天天IC网为您提供了由Diodes Inc.生产的ZVN4310GTC的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有ZVN4310GTC参数信息、推荐的产品和ZVN4310GTC数据手册可供查阅。ZVN4310GTC功能描述为： MOSFET N-Chnl 100V,你可以查阅ZVN4310GTC中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。