参数 | 参数值 |
Rohs:
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Lead free / RoHS Compliant
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产品更改通知:
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End Of Life 30/July/2009
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标准包装:
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2,000
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FET 型
:
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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FET特点:
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Standard
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漏极至源极电压(VDSS):
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60V
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电流-连续漏极(编号)@ 25°C:
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1.1A
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Rds(最大)@ ID,VGS:
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330 mOhm @ 3A, 10V
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VGS(TH)(最大)@ Id:
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3V @ 1mA
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栅极电荷(Qg)@ VGS:
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-
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输入电容(Ciss)@ Vds的:
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350pF @ 25V
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功率 - 最大:
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850mW
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安装类型
:
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Through Hole
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包/盒
:
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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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供应商器件封装:
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TO-92-3
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包装材料
:
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Tape & Reel (TR)
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最大门源电压:
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±20
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安装:
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Through Hole
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包装宽度:
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2.41(Max)
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PCB:
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3
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最大功率耗散:
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1130
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最大漏源电压:
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60
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欧盟RoHS指令:
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Compliant
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最大漏源电阻:
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330@10V
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每个芯片的元件数:
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1
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最低工作温度:
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-55
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供应商封装形式:
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E-Line
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标准包装名称:
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TO-92
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最高工作温度:
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150
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渠道类型:
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N
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包装长度:
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4.77(Max)
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引脚数:
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3
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通道模式:
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Enhancement
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包装高度:
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4.01(Max)
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最大连续漏极电流:
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1.1
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封装:
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Tape and Reel
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铅形状:
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Through Hole
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FET特点:
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Standard
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安装类型:
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Through Hole
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电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:
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1.1A (Ta)
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的Vgs(th ) (最大)@ Id:
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3V @ 1mA
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封装/外壳:
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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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供应商设备封装:
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TO-92-3
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开态Rds(最大)@ Id ,V GS:
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330 mOhm @ 3A, 10V
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FET型:
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大:
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850mW
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标准包装:
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2,000
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漏极至源极电压(Vdss):
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60V
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输入电容(Ciss ) @ VDS:
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350pF @ 25V
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RoHS指令:
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Lead free / RoHS Compliant
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