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ZVN4206AVSTZ
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推荐的产品
- ZVN3320A
- 品牌：Diodes Inc.
- 描述： MOSFET N-Chnl 200V
ZVN4206AVSTZ参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
Rohs：
|
Lead free / RoHS Compliant
|
|
标准包装：
|
2,000
|
|
FET 型
：
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
漏极至源极电压（VDSS）：
|
60V
|
|
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：
|
600mA
|
|
Rds（最大）@ ID，VGS：
|
1 Ohm @ 1.5A, 10V
|
|
VGS（TH）（最大）@ Id：
|
3V @ 1mA
|
|
栅极电荷（Qg）@ VGS：
|
-
|
|
输入电容（Ciss）@ Vds的：
|
100pF @ 25V
|
|
功率 - 最大：
|
700mW
|
|
安装类型
：
|
Through Hole
|
|
包/盒
：
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
|
|
供应商器件封装：
|
TO-92-3
|
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包装材料
：
|
Tape & Reel (TR)
|
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包装：
|
3E-Line
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通道模式：
|
Enhancement
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最大漏源电压：
|
60 V
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最大连续漏极电流：
|
0.6 A
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RDS -于：
|
1000@10V mOhm
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最大门源电压：
|
±20 V
|
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典型导通延迟时间：
|
8(Max) ns
|
|
典型关闭延迟时间：
|
12(Max) ns
|
|
典型下降时间：
|
15(Max) ns
|
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工作温度：
|
-55 to 150 °C
|
|
安装：
|
Through Hole
|
|
标准包装：
|
Ammo Pack
|
|
最大门源电压：
|
±20
|
|
包装宽度：
|
2.41(Max)
|
|
PCB：
|
3
|
|
最大功率耗散：
|
700
|
|
最大漏源电压：
|
60
|
|
欧盟RoHS指令：
|
Compliant
|
|
最大漏源电阻：
|
1000@10V
|
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每个芯片的元件数：
|
1
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最低工作温度：
|
-55
|
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供应商封装形式：
|
E-Line
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标准包装名称：
|
TO-92
|
|
最高工作温度：
|
150
|
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渠道类型：
|
N
|
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包装长度：
|
4.77(Max)
|
|
引脚数：
|
3
|
|
包装高度：
|
4.01(Max)
|
|
最大连续漏极电流：
|
0.6
|
|
封装：
|
Tape and Reel
|
|
铅形状：
|
Through Hole
|
|
单位包：
|
2000
|
|
最小起订量：
|
2000
|
|
FET特点：
|
Logic Level Gate
|
|
安装类型：
|
Through Hole
|
|
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：
|
600mA (Ta)
|
|
的Vgs（th ） （最大）@ Id：
|
3V @ 1mA
|
|
供应商设备封装：
|
TO-92-3
|
|
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：
|
1 Ohm @ 1.5A, 10V
|
|
FET型：
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
|
|
功率 - 最大：
|
700mW
|
|
漏极至源极电压（Vdss）：
|
60V
|
|
输入电容（Ciss ） @ VDS：
|
100pF @ 25V
|
|
封装/外壳：
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
|
|
RoHS指令：
|
Lead free / RoHS Compliant
|
|
其他名称：
|
ZVN4206AVSCT
|
|
工厂包装数量：
|
2000
|
|
产品种类：
|
MOSFET
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|
晶体管极性：
|
N-Channel
|
|
配置：
|
Single
|
|
源极击穿电压：
|
+/- 20 V
|
|
连续漏极电流：
|
600 mA
|
|
安装风格：
|
Through Hole
|
|
RDS（ON）：
|
1.5 Ohms
|
|
功率耗散：
|
0.7 W
|
|
最低工作温度：
|
- 55 C
|
|
封装/外壳：
|
TO-92
|
|
上升时间：
|
12 ns
|
|
最高工作温度：
|
+ 150 C
|
|
漏源击穿电压：
|
60 V
|
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