参数 | 参数值 |
Rohs:
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装:
|
4,000
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晶体管类型:
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PNP
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- 集电极电流(Ic)(最大):
|
4.5A
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电压 - 集电极发射极击穿(最大):
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12V
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Vce饱和(最大)@ IB,IC:
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300mV @ 200mA, 5A
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电流 - 集电极截止(最大):
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-
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直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:
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300 @ 500mA, 1V
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功率 - 最大:
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1.58W
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频率转换:
|
80MHz
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安装类型
:
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Through Hole
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包/盒
:
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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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供应商器件封装:
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TO-92-3
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包装材料
:
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Bulk
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包装:
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3E-Line
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类型:
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PNP
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引脚数:
|
3
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最大集电极发射极电压:
|
12 V
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集电极最大直流电流:
|
4.5 A
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最小直流电流增益:
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300@10mA@1V|300@500mA@1V|200@5A@1V|150@10A@1V
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最大工作频率:
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80(Typ) MHz
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最大集电极发射极饱和电压:
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0.1@5mA@500mA|0.15@50mA@2A|0.3@200mA@5A V
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最大集电极基极电压:
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15 V
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工作温度:
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-55 to 200 °C
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最大功率耗散:
|
1200 mW
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安装:
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Through Hole
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标准包装:
|
Bulk
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集电极最大直流电流:
|
4.5
|
最低工作温度:
|
-55
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Maximum Transition Frequency :
|
80(Typ)
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包装宽度:
|
2.41(Max)
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PCB:
|
3
|
最大功率耗散:
|
1200
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欧盟RoHS指令:
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Compliant
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每个芯片的元件数:
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1
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最大集电极基极电压:
|
15
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最大集电极发射极电压:
|
12
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供应商封装形式:
|
E-Line
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标准包装名称:
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TO-92
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最高工作温度:
|
200
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包装长度:
|
4.77(Max)
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包装高度:
|
4.01(Max)
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最大基地发射极电压:
|
6
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铅形状:
|
Through Hole
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单位包:
|
4000
|
最小起订量:
|
4000
|
电流 - 集电极( Ic)(最大):
|
4.5A
|
晶体管类型:
|
PNP
|
安装类型:
|
Through Hole
|
频率 - 转换:
|
80MHz
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下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:
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300mV @ 200mA, 5A
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电压 - 集电极发射极击穿(最大):
|
12V
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供应商设备封装:
|
E-Line (TO-92 compatible)
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封装:
|
Bulk
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功率 - 最大:
|
1.58W
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封装/外壳:
|
E-Line-3
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直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:
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300 @ 500mA, 1V
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RoHS指令:
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Lead free / RoHS Compliant
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工厂包装数量:
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4000
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集电极 - 发射极饱和电压:
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- 220 mV
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产品种类:
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Transistors Bipolar - BJT
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晶体管极性:
|
PNP
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发射极 - 基极电压VEBO:
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- 6 V
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直流集电极/增益hfe最小值:
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300 at 10 mA at 1 V, 300 at 500 mA at 1 V, 200 at 5 A at 1 V, 150 at 10 A at 1 V
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直流电流增益hFE最大值:
|
300 at 10 mA at 1 V
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增益带宽产品fT:
|
80 MHz
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集电极 - 发射极最大电压VCEO:
|
- 12 V
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安装风格:
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Through Hole
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集电极 - 基极电压VCBO:
|
- 15 V
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最低工作温度:
|
- 55 C
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配置:
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Single
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最高工作温度:
|
+ 150 C
|