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MOS(场效应管)
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XGP6508B
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：1.62V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：氮化镓(GaN)功率晶体管
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XGP6508B参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
商品类型
|
MOS(场效应管)
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漏源电压（Vdss）
|
650V
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）
|
21A
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栅源极阈值电压
|
1.62V @ 250uA
|
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漏源导通电阻
|
150mΩ @ 4A,8V
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最大功率耗散（Ta=25°C）
|
83W
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类型
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氮化镓(GaN)功率晶体管
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天天IC网为您提供了由XINGUAN(芯冠)生产的XGP6508B的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有XGP6508B参数信息、推荐的产品和XGP6508B数据手册可供查阅。XGP6508B功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：1.62V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：氮化镓(GaN)功率晶体管,你可以查阅XGP6508B中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。