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UF3SC120016K4S
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UF3SC120016K4S
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UF3SC120016K4S参数信息
| 参数 | 参数值 |
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包装
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管件
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系列
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-
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零件状态
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有源
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FET 类型
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P 通道
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技术
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SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
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漏源电压（Vdss）
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1200V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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107A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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12V
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不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
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21毫欧 @ 50A，12V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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6V @ 10mA
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不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
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218nC @ 15V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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7824pF @ 800V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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517W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-247-4
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封装/外壳
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TO-247-4
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