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TK14G65W,RQ
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TK14G65W,RQ参数信息
参数 | 参数值 |
制造商
|
Toshiba
|
产品种类
|
MOSFET
|
RoHS
|
是
|
技术
|
Si
|
安装风格
|
Through Hole
|
封装 / 箱体
|
TO-262-3
|
通道数量
|
1 Channel
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
Vds-漏源极击穿电压
|
650 V
|
Id-连续漏极电流
|
13.7 A
|
Rds On-漏源导通电阻
|
220 mOhms
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
2.5 V
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
30 V
|
Qg-栅极电荷
|
35 nC
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
Pd-功率耗散
|
130 W
|
配置
|
Single
|
通道模式
|
Enhancement
|
封装
|
Cut Tape
|
封装
|
MouseReel
|
封装
|
Reel
|
高度
|
10.4 mm
|
长度
|
10 mm
|
系列
|
TK14G65W
|
宽度
|
4.5 mm
|
商标
|
Toshiba
|
下降时间
|
7 ns
|
产品类型
|
MOSFET
|
上升时间
|
20 ns
|
工厂包装数量
|
1000
|
子类别
|
MOSFETs
|
典型关闭延迟时间
|
110 ns
|
典型接通延迟时间
|
60 ns
|
单位重量
|
4 g
|
天天IC网为您提供了由Toshiba生产的TK14G65W,RQ的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有TK14G65W,RQ参数信息、推荐的产品和TK14G65W,RQ数据手册可供查阅。TK14G65W,RQ功能描述为:MOSFET Power MOSFET N-Channel,你可以查阅TK14G65W,RQ中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。