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RQA0002DNSTB-E
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RQA0002DNSTB-E
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RQA0002DNSTB-E参数信息
参数 | 参数值 |
包装
|
标准卷带
|
系列
|
-
|
零件状态
|
停產
|
FET 类型
|
N 通道
|
技术
|
MOSFET(金属氧化物)
|
漏源电压(Vdss)
|
16V
|
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
|
3.8A(Ta)
|
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
|
-
|
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
|
-
|
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
|
750mV @ 1mA
|
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
|
750mV @ 1mA
|
Vgs(最大值)
|
±5V
|
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
|
102pF @ 0V
|
FET 功能
|
-
|
功率耗散(最大值)
|
15W(Tc)
|
工作温度
|
150°C
|
安装类型
|
表面贴装型
|
供应商器件封装
|
2-HWSON(5x4)
|
封装/外壳
|
3-DFN 裸露焊盘
|
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