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RM50N200T2
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RM50N200T2
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RM50N200T2参数信息
参数 | 参数值 |
Series
|
-
|
Package
|
Tube
|
FET Type
|
N-Channel
|
Technology
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
Drain to Source Voltage (Vdss)
|
200 V
|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
|
51A (Tc)
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
32mOhm @ 10A, 10V
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
4V @ 250µA
|
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
|
-
|
Vgs (Max)
|
±20V
|
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
|
1598 pF @ 100 V
|
FET Feature
|
-
|
Power Dissipation (Max)
|
214W (Tc)
|
Operating Temperature
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
Mounting Type
|
Through Hole
|
Supplier Device Package
|
TO-220-3
|
Package / Case
|
TO-220-3
|
天天IC网为您提供了由Rectron USA生产的RM50N200T2的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有RM50N200T2参数信息、推荐的产品和RM50N200T2数据手册可供查阅。RM50N200T2功能描述为:MOSFET N-CH 200V 51A TO220-3,你可以查阅RM50N200T2中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。