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MOSFET
RDN080N25参考图

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RDN080N25

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RDN080N25数据手册
RDN080N25参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Bulk
商标
ROHM Semiconductor
通道模式
Enhancement
配置
下降时间
28 ns
最小工作温度
- 55 C
上升时间
25 ns
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
13 ns
介绍图
RDN080N25代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
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深圳市百视威讯电子科技有限公司董先生
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深圳市赛美科科技有限公司雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
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深圳市永懿科技有限公司谢小姐
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深圳市永拓丰科技有限公司黄女士
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