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RDN050N20FU6
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RDN050N20FU6

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RDN050N20FU6数据手册
RDN050N20FU6参数信息
参数参数值
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
18.6nC @ 10V
Vgs(最大值):
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
292pF @ 10V
功率耗散(最大值):
30W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
720 毫欧 @ 2.5A,10V
工作温度:
150°C(TJ)
安装类型:
通孔
供应商器件封装:
TO-220FN
封装/外壳:
TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
RDN050N20FU6代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市天卓伟业电子有限公司陈敏
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深圳市坤融电子有限公司肖瑶,树平
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深圳市壹芯创科技有限公司朱先生
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深圳市永懿科技有限公司谢小姐
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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