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QVE11233_Q
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QVE11233_Q

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QVE11233_Q参数信息
参数参数值
感应方式
Transmissive
输出集电极/发射极电压(探测器)
30 V
最大反向电压(发射极)
5 V
槽宽
3.81 mm
光圈宽度
2.03 mm
输出设备
Phototransistor
功率耗散
100 mW
封装
Tube
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
介绍图
QVE11233_Q代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市顺拓国际贸易有限公司吴新
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深圳市毅创辉电子科技有限公司史仙雁
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深圳市良普科电子有限公司张小姐
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现代芯城(深圳)科技有限公司董先生
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深圳市宙容科技有限公司廖女士
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