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QSC113_Q

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QSC113_Q参数信息
参数参数值
最大功率耗散
100 mW
最大暗电流
100 nA
封装 / 箱体
T-1
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
下降时间
5 us
最大工作温度
+ 100 C
最小工作温度
- 40 C
封装
Bulk
上升时间
5 us
类型
IR Chip
波长
880 nm
介绍图
QSC113_Q代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
买好芯(深圳)实业有限公司侯先生
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市捷立辉科技有限公司花花,张先生
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深圳市宙容科技有限公司廖女士
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深圳市慧拓科技有限公司吕小姐,陈先生
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