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QH8KA1TCR参数信息
参数 | 参数值 |
制造商
|
ROHM Semiconductor
|
产品种类
|
MOSFET
|
RoHS
|
是
|
技术
|
Si
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
封装 / 箱体
|
TSMT-8
|
通道数量
|
2 Channel
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
Vds-漏源极击穿电压
|
30 V
|
Id-连续漏极电流
|
4.5 A
|
Rds On-漏源导通电阻
|
56 mOhms, 56 mOhms
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
1 V
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
20 V
|
Qg-栅极电荷
|
3 nC, 3 nC
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
Pd-功率耗散
|
2.4 W
|
配置
|
Dual
|
通道模式
|
Enhancement
|
封装
|
Cut Tape
|
封装
|
MouseReel
|
封装
|
Reel
|
晶体管类型
|
2 N-Channel
|
商标
|
ROHM Semiconductor
|
正向跨导 - 最小值
|
1.7 S, 1.7 S
|
下降时间
|
3.5 ns, 3.5 ns
|
产品类型
|
MOSFET
|
上升时间
|
7.5 ns, 7.5 ns
|
工厂包装数量
|
3000
|
子类别
|
MOSFETs
|
典型关闭延迟时间
|
10 ns, 10 ns
|
典型接通延迟时间
|
5 ns, 5 ns
|
零件号别名
|
QH8KA1
|
天天IC网为您提供了由ROHM Semiconductor生产的QH8KA1TCR的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有QH8KA1TCR参数信息、推荐的产品和QH8KA1TCR数据手册可供查阅。QH8KA1TCR功能描述为:MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET,你可以查阅QH8KA1TCR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。