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PHD45N03LTA,118
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PHD45N03LTA,118参数信息
| 参数 | 参数值 |
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标准包装：
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2,500
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类别：
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分立半导体产品
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家庭：
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FET - 单
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系列：
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TrenchMOS??
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包装：
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带卷（TR）
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FET 类型：
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MOSFET N 通道，金属氧化物
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FET 功能：
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逻辑电平门
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漏源极电压（Vdss）：
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25V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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40A（Tc）
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：
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21 毫欧 @ 25A，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
|
2V @ 1mA
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不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：
|
19nC @ 5V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：
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700pF @ 25V
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功率 - 最大值：
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65W
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安装类型：
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表面贴装
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封装/外壳：
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TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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供应商器件封装：
|
DPAK
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其它名称：
|
934056763118PHD45N03LTA /T3PHD45N03LTA /T3-ND
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