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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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MRFX1K80N-88MHZ
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
- NXP Semiconductors
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MRFX1K80N-88MHZ参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
NXP
|
|
产品种类
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
晶体管极性
|
Dual N-Channel
|
|
技术
|
Si
|
|
Id-连续漏极电流
|
43 A
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
- 500 mV, 179 V
|
|
增益
|
24.4 dB
|
|
输出功率
|
1.8 kW
|
|
最小工作温度
|
- 40 C
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
OM-1230-4
|
|
工作频率
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
|
系列
|
MRFX1K80
|
|
类型
|
RF Power MOSFET
|
|
商标
|
NXP Semiconductors
|
|
正向跨导 - 最小值
|
44.7 S
|
|
通道数量
|
2 Channel
|
|
Pd-功率耗散
|
3333 W
|
|
产品类型
|
RF MOSFET Transistors
|
|
工厂包装数量
|
1
|
|
子类别
|
MOSFETs
|
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
- 6 V, 10 V
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
2.1 V
|
|
零件号别名
|
935369639598
|
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