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JANTXV2N6788U
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JANTXV2N6788U

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  • 品牌:Microsemi
  • 描述:JANTXV Series 300 V 5 A NPN Power Silicon Switching Transistor - TO-5
JANTXV2N6788U数据手册
JANTXV2N6788U参数信息
参数参数值
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
4.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
18nC @ 10V
Vgs(最大值):
±20V
功率耗散(最大值):
800mW(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
350 毫欧 @ 6A,10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:
表面贴装
供应商器件封装:
18-ULCC(9.14x7.49)
封装/外壳:
18-CLCC
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
JANTXV2N6788U代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市毅创弘电子科技有限公司可乔
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司文燕
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深圳市八零友创科技有限公司李先生
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深圳市言叶科技有限公司刘新
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深圳市永懿科技有限公司谢小姐
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