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JANTXV2N6788U
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JANTXV2N6788U
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- JANTXV2N5667
- 品牌:Microsemi
- 描述:JANTXV Series 300 V 5 A NPN Power Silicon Switching Transistor - TO-5
JANTXV2N6788U参数信息
参数 | 参数值 |
FET 类型:
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N 沟道
|
技术:
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MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss):
|
100V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
|
4.5A(Tc)
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
|
10V
|
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
|
4V @ 250µA
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
|
18nC @ 10V
|
Vgs(最大值):
|
±20V
|
功率耗散(最大值):
|
800mW(Tc)
|
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
|
350 毫欧 @ 6A,10V
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工作温度:
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-55°C ~ 150°C(TJ)
|
安装类型:
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表面贴装
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供应商器件封装:
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18-ULCC(9.14x7.49)
|
封装/外壳:
|
18-CLCC
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无铅情况/RoHs:
|
无铅/符合RoHs
|
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