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IRF-634
-
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
- Vishay Semiconductors
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IRF-634参数信息
参数 | 参数值 |
制造商
|
Vishay
|
产品种类
|
MOSFET
|
RoHS
|
否
|
商标
|
Vishay Semiconductors
|
Id-连续漏极电流
|
8.1 A
|
Vds-漏源极击穿电压
|
250 V
|
Rds On-漏源导通电阻
|
450 mOhms
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
20 V
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
Pd-功率耗散
|
74 W
|
安装风格
|
Through Hole
|
封装 / 箱体
|
TO-220-3
|
封装
|
Tube
|
通道模式
|
Enhancement
|
配置
|
Single
|
下降时间
|
19 ns
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
上升时间
|
21 ns
|
工厂包装数量
|
1000
|
典型关闭延迟时间
|
42 ns
|
典型接通延迟时间
|
9.6 ns
|
天天IC网为您提供了由Vishay Semiconductors生产的IRF-634的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有IRF-634参数信息、推荐的产品和IRF-634数据手册可供查阅。IRF-634功能描述为:
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
,你可以查阅IRF-634中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。