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IR11662SPBF
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IR11662SPBF
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IR11662SPBF参数信息
| 参数 | 参数值 |
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驱动配置：
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低压侧
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通道类型：
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单路
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驱动器数：
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1
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栅极类型：
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N 沟道 MOSFET
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电压 - 电源：
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11.4 V ~ 18 V
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逻辑电压 - VIL，VIH：
|
2V，2.15V
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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
|
1A，4A
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输入类型：
|
非反相
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上升/下降时间（典型值）：
|
21ns，10ns
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工作温度：
|
-25°C ~ 125°C（TJ）
|
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安装类型：
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表面贴装
|
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封装/外壳：
|
SOIC8N
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供应商器件封装：
|
8-SOIC
|
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无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
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