• 当前位置:
  • 首页
  • >
  • 元器件详细参数
  • >
  • IPD70N10S3L12ATMA1代理商/详细参数
功率 MOSFET
IPD70N10S3L12ATMA1参考图

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IPD70N10S3L12ATMA1

  • Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
  • Infineon Technologies
  • IPD70N10S3L12ATMA1代理商/分销商
购买、咨询产品请提交询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
  • QQ:
推荐的产品
  • IPD60R600P6BTMA1
  • 品牌:Infineon Technologies
  • 描述:Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600P6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
介绍图
IPD70N10S3L12ATMA1数据手册
IPD70N10S3L12ATMA1参数信息
参数参数值
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
2.4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
77nC @ 10V
Vgs(最大值):
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
5550pF @ 25V
功率耗散(最大值):
125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
11.5 毫欧 @ 70A,10V
工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:
表面贴装
供应商器件封装:
PG-TO252-3
封装/外壳:
PG-TO252-3
通道类型:
N
最大连续漏极电流:
70 A
最大漏源电压:
100 V
最大漏源电阻值:
15.2 m0hms
最大栅阈值电压:
2.4V
最小栅阈值电压:
1.2V
最大栅源电压:
-20 V、+20 V
封装类型:
DPAK (TO-252)
引脚数目:
3
晶体管配置:
通道模式:
增强
类别:
功率 MOSFET
最大功率耗散:
125 W
宽度:
6.22mm
典型接通延迟时间:
12 ns
典型关断延迟时间:
35 ns
典型输入电容值@Vds:
4270 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs:
59 nC @ 10 V
晶体管材料:
Si
系列:
OptiMOS T
每片芯片元件数目:
1
最高工作温度:
+175 °C
长度:
6.5mm
高度:
2.3mm
尺寸:
6.5 x 6.22 x 2.3mm
最低工作温度:
-55 °C
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
IPD70N10S3L12ATMA1代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市众兴电子科技有限公司欧阳小姐
  • 手机:
  • 电话:
skype:13392824727Email:2089444936@qq.com
深圳市菲悦电子科技有限公司陆诚
  • 手机:
  • 电话:
Email:285516526@qq.com
北京京北通宇电子元件有限公司杨彦旭
  • 手机:
  • 电话:
Email:2850389426@qq.com
深圳市诺美思科技有限公司张丁武
  • 手机:
  • 电话:
Email:534064629@QQ.COM
深圳市骏思创达科技有限公司
  • 手机:
  • 电话:
Email:3554016920@qq.com
深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
  • 手机:
  • 电话:
Email:2881358670@qq.com
深圳德泰威尔科技有限公司张三军
  • 手机:
  • 电话:
Email:346259228@qq.com
深圳市达豪电子有限公司朱先生,曾小姐
  • 手机:
  • 电话:
Email:2272985152@qq.com
深圳市河锋鑫科技有限公司杨晓芳
  • 手机:
  • 电话:
Email:305739080@qq.com
深圳市宏硕芯科技有限公司朱小姐
  • 手机:
  • 电话:
Email:1479557258@qq.com
天天IC网为您提供了由Infineon Technologies生产的IPD70N10S3L12ATMA1的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有IPD70N10S3L12ATMA1参数信息、推荐的产品和IPD70N10S3L12ATMA1数据手册可供查阅。IPD70N10S3L12ATMA1功能描述为:Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装,你可以查阅IPD70N10S3L12ATMA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
  • 关注官方微信

  • 联系我们
  • 电话:13714778017
  • 周一至周六:9:00-:18:00
  • 在线客服:

天天IC网由深圳市四方好讯科技有限公司独家运营

天天IC网 ( www.ttic.cc ) 版权所有©2014-2021 粤ICP备15059004号