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IPD65R1K4C6
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IPD65R1K4C6
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IPD65R1K4C6参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
封装/外壳：
|
PG-TO252-3
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|
RoHS：
|
Y
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|
技术：
|
Si
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安装风格：
|
SMD/SMT
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通道数量：
|
1Channel
|
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晶体管极性：
|
N-Channel
|
|
Vds-漏源极击穿电压：
|
650V
|
|
Id-连续漏极电流：
|
3.2A
|
|
Rds On-漏源导通电阻：
|
1.26Ohms
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压：
|
2.5V
|
|
Vgs - 栅极-源极电压：
|
20V
|
|
Qg-栅极电荷：
|
10.5nC
|
|
最小工作温度：
|
-55C
|
|
最大工作温度：
|
+150C
|
|
配置：
|
Single
|
|
Pd-功率耗散：
|
28W
|
|
通道模式：
|
Enhancement
|
|
封装：
|
CutTape
|
|
高度：
|
2.3mm
|
|
长度：
|
6.5mm
|
|
系列：
|
CoolMOSC6
|
|
晶体管类型：
|
1N-Channel
|
|
宽度：
|
6.22mm
|
|
下降时间：
|
18.2ns
|
|
MXHTS：
|
85412999
|
|
上升时间：
|
5.9ns
|
|
典型关闭延迟时间：
|
33ns
|
|
典型接通延迟时间：
|
7.7ns
|
|
商标名：
|
CoolMOS
|
|
无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
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