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功率 MOSFET
图片仅供参考， 请参阅产品规格
IPD60R600P6BTMA1
- Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600P6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
- Infineon Technologies
- IPD60R600P6BTMA1代理商/分销商
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IPD60R600P6BTMA1参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
通道类型：
|
N
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最大连续漏极电流：
|
7.3 A
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|
最大漏源电压：
|
650 V
|
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最大漏源电阻值：
|
600 m0hms
|
|
最大栅阈值电压：
|
4.5V
|
|
最小栅阈值电压：
|
3.5V
|
|
最大栅源电压：
|
-30 V、+30 V
|
|
封装类型：
|
DPAK (TO-252)
|
|
安装类型：
|
表面贴装
|
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引脚数目：
|
3
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晶体管配置：
|
单
|
|
通道模式：
|
增强
|
|
类别：
|
功率 MOSFET
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|
最大功率耗散：
|
63 W
|
|
最高工作温度：
|
+150 °C
|
|
最低工作温度：
|
-55 °C
|
|
长度：
|
6.73mm
|
|
每片芯片元件数目：
|
1
|
|
高度：
|
2.41mm
|
|
尺寸：
|
6.73 x 6.22 x 2.41mm
|
|
宽度：
|
6.22mm
|
|
正向二极管电压：
|
0.9V
|
|
晶体管材料：
|
Si
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典型栅极电荷@Vgs：
|
12 nC
|
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典型输入电容值@Vds：
|
557 pF@ 100 V
|
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典型关断延迟时间：
|
33 ns
|
|
典型接通延迟时间：
|
11 ns
|
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系列：
|
CoolMOS P6
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封装/外壳：
|
PG-TO252-3
|
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无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
天天IC网为您提供了由Infineon Technologies生产的IPD60R600P6BTMA1的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有IPD60R600P6BTMA1参数信息、推荐的产品和IPD60R600P6BTMA1数据手册可供查阅。IPD60R600P6BTMA1功能描述为：Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600P6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装,你可以查阅IPD60R600P6BTMA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。