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IPD60R385CP
IPD60R385CP参考图

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPD60R385CP

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IPD60R385CP数据手册
IPD60R385CP参数信息
参数参数值
封装/外壳:
PG-TO252-3
安装风格:
SMD/SMT
通道数量:
1Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600V
Id-连续漏极电流:
9A
Rds On-漏源导通电阻:
350mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5V
Vgs - 栅极-源极电压:
20V
Qg-栅极电荷:
22nC
最小工作温度:
-55C
最大工作温度:
+150C
配置:
Single
Pd-功率耗散:
83W
通道模式:
Enhancement
高度:
2.3mm
长度:
6.5mm
系列:
CoolMOSCP
晶体管类型:
1N-Channel
宽度:
6.22mm
下降时间:
5ns
上升时间:
5ns
典型关闭延迟时间:
40ns
典型接通延迟时间:
10ns
Packing Type:
TAPE & REEL
RDS (on) max:
385.0mΩ
IDpuls max:
27.0A
VDS max:
600.0V
Package:
DPAK (TO-252)
Rth:
1.5K/W
QG:
17.0nC
Budgetary Price €€/1k:
0.73
Operating Temperature min:
-55.0°C
Ptot max:
83.0W
Polarity:
N
Pin Count:
3.0Pins
RthJA max:
62.0K/W
Mounting:
SMT
VGS(th) min max:
2.5V 3.5V
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
IPD60R385CP代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市驰天熠电子有限公司洪先生
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  • 电话:
深圳市辉华拓展电子有限公司陈玲玲
  • 手机:
  • 电话:
现代芯城(深圳)科技有限公司董先生
  • 手机:
  • 电话:
集好芯城陈妍
  • 手机:
  • 电话:
深圳市永懿科技有限公司谢小姐
  • 手机:
  • 电话:
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