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IPD60R385CP
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IPD60R385CP
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IPD60R385CP参数信息
参数 | 参数值 |
封装/外壳:
|
PG-TO252-3
|
安装风格:
|
SMD/SMT
|
通道数量:
|
1Channel
|
晶体管极性:
|
N-Channel
|
Vds-漏源极击穿电压:
|
600V
|
Id-连续漏极电流:
|
9A
|
Rds On-漏源导通电阻:
|
350mOhms
|
Vgs th-栅源极阈值电压:
|
2.5V
|
Vgs - 栅极-源极电压:
|
20V
|
Qg-栅极电荷:
|
22nC
|
最小工作温度:
|
-55C
|
最大工作温度:
|
+150C
|
配置:
|
Single
|
Pd-功率耗散:
|
83W
|
通道模式:
|
Enhancement
|
高度:
|
2.3mm
|
长度:
|
6.5mm
|
系列:
|
CoolMOSCP
|
晶体管类型:
|
1N-Channel
|
宽度:
|
6.22mm
|
下降时间:
|
5ns
|
上升时间:
|
5ns
|
典型关闭延迟时间:
|
40ns
|
典型接通延迟时间:
|
10ns
|
Packing Type:
|
TAPE & REEL
|
RDS (on) max:
|
385.0mΩ
|
IDpuls max:
|
27.0A
|
VDS max:
|
600.0V
|
Package:
|
DPAK (TO-252)
|
Rth:
|
1.5K/W
|
QG:
|
17.0nC
|
Budgetary Price €/1k:
|
0.73
|
Operating Temperature min:
|
-55.0°C
|
Ptot max:
|
83.0W
|
Polarity:
|
N
|
Pin Count:
|
3.0Pins
|
RthJA max:
|
62.0K/W
|
Mounting:
|
SMT
|
VGS(th) min max:
|
2.5V 3.5V
|
无铅情况/RoHs:
|
无铅/符合RoHs
|
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