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IPD60R380C6
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IPD60R380C6
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IPD60R380C6参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
封装/外壳：
|
PG-TO252-3
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FET 类型：
|
N 沟道
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技术：
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）：
|
600V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
|
10.6A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
|
10V
|
|
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
|
3.5V @ 320µA
|
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
32nC @ 10V
|
|
Vgs（最大值）：
|
±20V
|
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
700pF @ 100V
|
|
功率耗散（最大值）：
|
83W（Tc）
|
|
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
|
380 毫欧 @ 3.8A，10V
|
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工作温度：
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型：
|
表面贴装
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供应商器件封装：
|
PG-TO252-3
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安装风格：
|
SMD/SMT
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通道数量：
|
1Channel
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晶体管极性：
|
N-Channel
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|
Id-连续漏极电流：
|
10.6A
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|
Rds On-漏源导通电阻：
|
380mOhms
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压：
|
2.5V
|
|
Qg-栅极电荷：
|
32nC
|
|
最小工作温度：
|
-55C
|
|
最大工作温度：
|
+150C
|
|
配置：
|
Single
|
|
Pd-功率耗散：
|
83W
|
|
通道模式：
|
Enhancement
|
|
商标名：
|
CoolMOS
|
|
封装：
|
CutTape
|
|
高度：
|
2.3mm
|
|
长度：
|
6.5mm
|
|
系列：
|
XPD60R380
|
|
晶体管类型：
|
1N-Channel
|
|
宽度：
|
6.22mm
|
|
下降时间：
|
9ns
|
|
上升时间：
|
10ns
|
|
典型关闭延迟时间：
|
110ns
|
|
典型接通延迟时间：
|
15ns
|
|
Vds-漏源极击穿电压：
|
600V
|
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Vgs - 栅极-源极电压：
|
10V
|
|
封装：
|
Reel
|
|
无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
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