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IPC100N04S52R8ATMA1
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IPC100N04S52R8ATMA1参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
Infineon
|
|
产品种类
|
MOSFET
|
|
RoHS
|
是
|
|
技术
|
Si
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
TDSON-8
|
|
通道数量
|
1 Channel
|
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
40 V
|
|
Id-连续漏极电流
|
100 A
|
|
Rds On-漏源导通电阻
|
2.3 mOhms
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
2.2 V
|
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
20 V
|
|
Qg-栅极电荷
|
45 nC
|
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
|
最大工作温度
|
+ 175 C
|
|
Pd-功率耗散
|
75 W
|
|
配置
|
Single
|
|
通道模式
|
Enhancement
|
|
资格
|
AEC-Q101
|
|
商标名
|
OptiMOS
|
|
封装
|
Cut Tape
|
|
封装
|
Reel
|
|
系列
|
N Channel
|
|
晶体管类型
|
1 N-Channel
|
|
商标
|
Infineon Technologies
|
|
下降时间
|
6 ns
|
|
湿度敏感性
|
Yes
|
|
产品类型
|
MOSFET
|
|
上升时间
|
3 ns
|
|
工厂包装数量
|
5000
|
|
子类别
|
MOSFETs
|
|
典型关闭延迟时间
|
11 ns
|
|
典型接通延迟时间
|
6 ns
|
|
零件号别名
|
IPC100N04S5-2R8 SP001418102
|
IPC100N04S52R8ATMA1代理商/分销商
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