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MOSFET
IPB042N10N3 G参考图

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IPB042N10N3 G

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介绍图
IPB042N10N3 G数据手册
IPB042N10N3 G参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPB042N10N3GATMA1 IPB42N1N3GXT SP000446880
单位重量
4 g
介绍图
IPB042N10N3 G代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市德雷仕科技有限公司肖生
  • 手机:
  • 电话:
Email:1981416832@qq.com
深圳市菲悦电子科技有限公司陆诚
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  • 电话:
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深圳市壹芯创科技有限公司杨小姐,张小姐
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