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MOSFET
IPB033N10N5LFATMA1参考图

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IPB033N10N5LFATMA1

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IPB033N10N5LFATMA1数据手册
IPB033N10N5LFATMA1参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB033N10N5LF SP001503858
单位重量
2 g
介绍图
IPB033N10N5LFATMA1代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
苏州芯华胜半导体科技有限公司向翱
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深圳市佳威星科技有限公司胡小姐
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深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
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